Sökning: "Twice exceptional"

Visar resultat 6 - 8 av 8 uppsatser innehållade orden Twice exceptional.

  1. 6. En fallstudie om lärares och elevers uppfattningar kring särskild begåvning

    Magister-uppsats, Malmö universitet/Fakulteten för lärande och samhälle (LS)

    Författare :Åsa Larsson; [2018]
    Nyckelord :Identifiera; skriftspråk; speciallärare; särskild begåvning; twice- exceptional; upptäcka;

    Sammanfattning : Förväntat kunskapsbidragStudien vill belysa de särskilt begåvade eleverna, hur lärare kan möta och upptäcka dem så attde får den kunskapsutveckling de har rätt till. Att särskilt begåvade även kan hainlärningssvårigheter, att begåvningen också kan vara ett hinder i deras inlärning och döljaandra svårigheter p.g.a. LÄS MER

  3. 7. Särskilt begåvade barn med dyslexi : Fyra föräldrars erfarenheter av stöd och samverkan med skolan

    Uppsats för yrkesexamina på avancerad nivå, Karlstads universitet/Institutionen för pedagogiska studier

    Författare :Mona Lundberg Vendlegård; [2017]
    Nyckelord :twice-exceptional; gifted students; dyslexia; parents; collaboration; twice-exceptional; särskilt begåvade elever; dyslexi; föräldrar; samverkan;

    Sammanfattning : Syftet med den här studien är att belysa hur några föräldrar till särskilt begåvade barn med dyslexi upplever barnets skolsituation vad gäller stöd och samverkan med skolan. Fyra föräldrar till särskilt begåvade barn med dyslexi intervjuades. LÄS MER

  4. 8. Hall Measurement on Regrown Nanowires

    Master-uppsats, Lunds universitet/Fysiska institutionen

    Författare :Sudhakar Sivakumar; [2015]
    Nyckelord :Hall measurement; InGaAs; III-V semiconductor; ballistic; transport properties; mobility; sheet carrier concentration; Physics and Astronomy;

    Sammanfattning : Ternary semiconductor alloys like $In_xGa_{1-x}As$ have lured competing attention in connection to sub-50 nm high performance, low power, planar Complementary Metal Oxide Semiconductor technology. This compound semiconductor owes its popularity to excellent bulk carrier mobility, minority carrier diffusion constant, small bandgap, high electron injection velocity and its capability to take Moore's law beyond silicon platform. LÄS MER