Sökning: "resistance band"
Visar resultat 1 - 5 av 39 uppsatser innehållade orden resistance band.
1. AC Gate Bias Stress of 4H-SiC MOSFETs : An investigation into threshold voltage instability of SiC Power MOSFETs under the influence of bipolar gate stress
Master-uppsats, KTH/Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS)Sammanfattning : Silicon Carbide, a wide band gap (WBG) semiconductor, has pushed electrical limits beyond Silicon (Si) when it comes to power electronics. It has offered the electrification of society showing promise for a greener future. LÄS MER
2. Radiation Effects on GaN-based HEMTs for RF and Power Electronic Applications
Master-uppsats, KTH/Tillämpad fysikSammanfattning : GaN-HEMTs (Gallium Nitride-based High Electron Mobility Transistors) have, thanks to the large band gap of GaN, electrical properties that are suitable for applications of high electrical voltages, high currents, and fast switching. The large band gap also gives GaN-HEMTs a high resistance to radiation. LÄS MER
3. Balansbrädans effekt på balansen jämfört med styrketräning, och balansbräda i kombination med styrketräning, vibrationer, samt kinesiotejp, hos individer med kronisk fotledsinstabilitet : En litteraturstudie
Kandidat-uppsats, Uppsala universitet/FysioterapiSammanfattning : Bakgrund: Tio till tjugo procent av akuta skador på ligamenten kring fotleden resulterar ikronisk fotledsinstabilitet, vilket innebär en instabilitetskänsla, stukningstendens, smärta ochsvullnad i fotleden. Det är värdefullt att som fysioterapeut ha kunskap om vilkenrehabiliteringsmetod som förbättrar balans i syfte att öka stabiliteten i foten. LÄS MER
4. Simulations of current transport phenomena in ferroelectric tunnel junctions
Master-uppsats, Lunds universitet/Institutionen för elektro- och informationsteknikSammanfattning : Ferroelectric memories pose as a potential candidate as resistive memory devices that could be used for in-memory computing and artificial synapses. One promising type of ferroelectric memory device is the ferroelectric tunnel junction (FTJ). LÄS MER
5. Evaluation of Discrete-Time Wideband Receivers for NB-IoT
Master-uppsats, Lunds universitet/Institutionen för elektro- och informationsteknikSammanfattning : A receiver that covers several RF bands requires multiple front-end filters which increases the cost in terms of components and/or board/silicon area. Front-end filters assist a receiver to withstand interference at multiples of its down-conversion frequency. LÄS MER