Growth of InAsSb and GaAsSb Nanowires

Sammanfattning: Att kunna ändra egenskaperna hos nanotrådar till specifika applikationer är viktigt om nanotrådar ska kunna inkorporeras i elektronikindustrin. Bandgapet är en sådan egenskap som för ternära III-V halvledare kan ändras om "ordning" uppstår i materialet. Med ordning menas här att de ingående komponenterna spontant lägger sig periodiskt längs med en kristallografisk riktning. Ett steg mot att uppnå ordning är att få nanotrådarna att växa i den kristallografiska riktningen 001, som har setts vara fördelaktig för ordning. I det här projektet har förmågan av InAsSb och GaAsSb nanotrådar att växa i 001 på InAs (001) respektive GaAs (001) substrat, utforskats. Nanotrådarna har växts från Au, AgAu och Ag partiklar med det slutgiltiga målet att uppnå ordning. Transmissionselektronmikroskopi har använts för att bestämma kristallstruktur, växtriktning och för att se om någon ordning har uppstått i de färdiga trådarna. Vertikal växt uppnåddes för InAsSb trådar från både Au och AgAu partiklar, men ordning observerades inte.