Sökning: "Ald"

Visar resultat 6 - 10 av 43 uppsatser innehållade ordet Ald.

  1. 6. Laminated HZO on InAs: A study of as-deposited ferroelectricity

    Master-uppsats, Lunds universitet/Institutionen för elektro- och informationsteknik

    Författare :André Andersen; [2022]
    Nyckelord :Ferroelectricity; HZO; InAs; III V; As-deposited ferroelectricity; BEOL; Nanoelectronics; Nanoprocessing; Nanotechnology; ALD; MOSCAP; Memory Technology; Technology and Engineering;

    Sammanfattning : As the limits of transistor feature size scaling is reaching its saturation, new innovations are needed to prevent performance loss. High performance transistors on the III/V semiconductor platform implemented with ferroelectric oxides might in the future satisfy this demand. LÄS MER

  3. 7. Nästa station: Igelbäckens naturreservat : gestaltning av en övergiven tunnelbanestation till en naturreservatsentré

    Master-uppsats, SLU/Dept. of Landscape Architecture, Planning and Management (from 130101)

    Författare :Erik Eckersten; [2022]
    Nyckelord :gestaltning; landskapsarkitektur; naturreservatsentré; modern ruin; tillgång till natur; tunnelbanestation; rekreation; urban natur;

    Sammanfattning : Projektet är ett gestaltningsförslag som handlar om Kymlinge övergivna tunnelbanestation som ligger på blå linjens Akallagren i norra Stockholm. Tunnelbanestationen byggdes och förbereddes på 1970-talet för en planerad men inte byggd stadsdel, och öppnades sedan ald- rig. LÄS MER

  4. 8. Analysis of condition for ALD deposition of ferroelectric HZO

    Master-uppsats, Lunds universitet/Institutionen för elektro- och informationsteknik

    Författare :Teodor Qvint; [2022]
    Nyckelord :HZO; Ferro; ALD; Temperature; Purge time; Technology and Engineering;

    Sammanfattning : Deposition of ferroelectric hafnium zirconium oxide (HZO) on semiconductor samples with Atomic Layer Deposition (ALD) has proven to be a viable method of production. But while the physical processes of ALD deposition is relatively well know, there exists some gaps in knowledge about different parameters for the ALD and the resulting depositions. LÄS MER

  5. 9. Framställning av multilagerfilmen AlN-HQ

    Kandidat-uppsats, Linköpings universitet/Institutionen för fysik, kemi och biologi

    Författare :Matilda Karlsson; [2021]
    Nyckelord :ALD; CVD; MLD;

    Sammanfattning : The method Atomic Layer Deposition, ALD, has been available since the 1970´s and it has opened the possibility to fabricate methods for inorganic thin films on a nanoscale. Later the interest for fabricating organic thin films with Molecular Layer Deposition, MLD, and controlling both the thickness and the composition of the film on a molecular scale. LÄS MER

  7. 10. Investigating and Fabricating High-K (Al2O3) and Ferroelectric (HfO2) MIM-Capacitors for use in BEOL Fabrication Applications

    Master-uppsats, KTH/Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS)

    Författare :Thomas Hackett; [2021]
    Nyckelord :atomic layer deposition ALD ; ferroelectric; metal-insulator-metal MIM capacitors; low thermal budget; rapid thermal annealing RTA ;

    Sammanfattning : Integration of high-K Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors in the Back-end-of-line (BEOL) is a topic of interest for the further development of the process at KTH Royal Institute of Technology. MIM-capacitors benefit from having constant capacitance values over a range of voltages and/or frequencies. LÄS MER