Sökning: "contact barrier resistance"

Hittade 3 uppsatser innehållade orden contact barrier resistance.

  1. 1. Niobium Ohmic Contacts for Cryogenic Indium Phosphide High-Electron-Mobility Transistors

    Master-uppsats, KTH/Tillämpad fysik

    Författare :Linnéa Bendrot; [2022]
    Nyckelord :Ohmic contacts; high-electron-mobility transistor; InP; Nb films; cryogenic electronics; low-noise amplifier; quantum computing; transfer length method; superconductivity; contact barrier resistance; Ohmska kontakter; högelektronmobilitetstransistorer; indiumfosfid; niob; tunnfilm; kryogen elektronik; lågbrusförstärkare; kvantdatorer; Transfer Length-metod; supraledning; kontakt- barriärresistans;

    Sammanfattning : Ohmic contacts are crucial components in semiconductor devices such as transistors and diodes, and lowering their contact resistance is an important factor in device performance enhancement. This is especially important for low-noise amplifiers (LNAs) where device noise temperature decreases both directly and indirectly with decreasing contact resistance. LÄS MER

  3. 2. MRSA PATIENTERS UPPLEVELSER AV BEMÖTANDET INOM VÅRDEN - En litteraturstudie

    Uppsats för yrkesexamina på grundnivå, Malmö högskola/Fakulteten för hälsa och samhälle (HS)

    Författare :MIA BÜLOW; CHRISTIAN WEDBERG; [2017]
    Nyckelord :MRSA; Patient experience; Care; lack of knowledge; emotions;

    Sammanfattning : Bakgrund: Methicillin-resistenta staphylococcus aureus (MRSA) är en bakterie som utvecklat resistens mot antibiotika. MRSA är ett av sjukvårdens största hygien-relaterade problem som ökar världen över. Smittspridning sker via direkt och indirekt kontaktsmitta. LÄS MER

  4. 3. Simulation and analysis of InP/GaInP nanowire Esaki diodes for photovoltaic device applications

    Master-uppsats, Lunds universitet/Fasta tillståndets fysik; Lunds universitet/Fysiska institutionen

    Författare :Odd Restad; [2017]
    Nyckelord :Physics and Astronomy; Technology and Engineering;

    Sammanfattning : In this thesis the WKB-approximation is used to simulate the tunneling current for an Esaki nanowire diode and the result is compared to data from Esaki nanowire diodes grown with MOVPE. The WKB-approximation with triangular potential barrier predicts a strong increase of the tunneling current as a function of the doping densities and at the highest doping levels it gives lower tunneling distances than more reliable drift-diffusion simulations and is thus overestimating the current. LÄS MER